De technologie vervangt traditionele condensatoren door ferro-elektrische hafniumoxide (HfO₂)-elementen, waardoor langdurige opslag mogelijk is zonder dat er stroom nodig is, terwijl de toegangstijd van nanoseconden behouden blijft. Deze hybride technologie pakt de prestatiekloof aan tussen snelle DRAM en geheugen van opslagklasse, zoals NAND-flash.
In tegenstelling tot de eerdere DRAM-joint ventures van Infineon en Qimonda in Europa, die er niet in slaagden te voldoen aan de economische eisen van het grondstoffengeheugen, richt FMC zich op professionele toepassingen die waarde hechten aan duurzaamheid en energie-efficiëntie. De op HfO₂ gebaseerde aanpak pakt de beperkingen aan van eerdere FeRAM-geheugenimplementaties met behulp van loodzirkonaattitanaat (PZT), die niet verder konden schalen dan megabytes aan capaciteit.
Prototypes demonstreren nu gigabit-bereikdichtheden die compatibel zijn met sub-10nm-productieprocessen voor conventionele DRAM's gemaakt door Micron, Samsung, SK Hynix en anderen. Door vernieuwingscycli te elimineren, vermindert DRAM+ het statisch energieverbruik aanzienlijk in vergelijking met traditionele DRAM-cellen met één transistor/enkele condensator. Belangrijke toepassingen zijn onder meer AI-versnellers die aanhoudende modelgewichten vereisen, auto-ECU's met instant-on-vereisten en medische implantaten met beperkt vermogen.
Neumonda zal zijn reeks testplatforms, Rhinoe, Octopus en Raptor, inzetten voor elektrische karakterisering en analyse tegen lagere kapitaalkosten dan standaard halfgeleidertestapparatuur. Het productieschema voor commerciële DRAM+-producten is nog niet bekendgemaakt.