Samsung heeft officieel de Samsung 990 gelanceerd, een M.2 NVMe solid-state drive gericht op de instapmarkt. Opgemerkt moet worden dat dit nieuwe product anders is dan de vorige 990 EVO die TLC-flashgeheugendeeltjes gebruikte. De nieuwe Samsung 990 maakt gebruik van QLC NAND-flashgeheugen en vertrouwt op algoritme-optimalisatie op masterniveau om prestaties te garanderen.
Wat de hardwarespecificaties betreft, neemt de Samsung 990 het standaard M.2-2280-uiterlijkformaat over, ondersteunt de M.2 NVMe Gen 4-interface (PCI-Express 4.0 x4) en is uitgerust met Samsung's zelfontwikkelde Piccolo-Q cacheloze (DRAMless) hoofdbesturingschip en zijn eigen V9-serie 280-laags 3D QLC NAND-flashgeheugendeeltjes.
De Samsung 990 die dit keer is uitgebracht, biedt consumenten de keuze uit twee capaciteitsversies, waarbij de 1TB-versie US$270 kost en de 2TB-versie US$530 kost. In termen van specifieke lees- en schrijfprestaties heeft de 1TB-versie een maximale sequentiële leessnelheid van 7150 MB/s, een maximale sequentiële schrijfsnelheid van 6450 MB/s en 4K willekeurige lees- en schrijfprestaties van respectievelijk 700.000 IOPS en 1,1 miljoen IOPS. De prestaties van de 2TB-versie zijn iets beter: de maximale sequentiële leessnelheid is verhoogd naar 7250 MB/s, de sequentiële schrijfsnelheid is gelijk aan 6450 MB/s en de 4K willekeurige lees- en schrijfsnelheid bereikt respectievelijk 850.000 IOPS en 1,2 miljoen IOPS.
In termen van schrijfuithoudingsvermogen, wat een veel voorkomende zorg is onder consumenten, is er vanwege het gebruik van QLC-flashgeheugen een aanzienlijk verschil tussen de nieuwe 990 en de op TLC gebaseerde 990 EVO Plus. De 2TB-versie van de Samsung 990 heeft een schrijfvermogen van 800 TBW, terwijl de 1TB-versie slechts 400 TBW heeft. Ter intuïtieve vergelijkingsreferentie: de 2TB- en 1TB-versies van de 990 EVO Plus met dezelfde capaciteit kunnen een schrijfduur van respectievelijk 1200 TBW en 600 TBW bieden. Bovendien bieden deze twee nieuw gelanceerde Samsung 990-producten slechts drie jaar garantieservice.