Samsung treft de laatste voorbereidingen voor een nieuwe M.2 NVMe Gen 4 solid-state drive, de SSD 990, die een leemte zal opvullen in zijn client-SSD-productlijn voor de "kosteneffectieve" reguliere markt. Opgemerkt moet worden dat SSD 990 anders is dan de vorige 990 EVO Plus, die gepositioneerd is als een cachevrij, krachtig product in het PCIe Gen 4-tijdperk.
De belangrijkste onderscheidende factoren tussen de twee zijn waarschijnlijk het type flashgeheugen dat wordt gebruikt (QLC vs. TLC), evenals het nieuwere masterbesturingsschema op de SSD 990. In tegenstelling tot de 990 EVO Plus, die PCIe Gen 4 x4 of Gen 5 x2-interfaces ondersteunt, gebruikt de SSD 990 expliciet de PCIe Gen 4 x4-interface, waardoor de positionering op bestaande mainstream-platforms verder wordt benadrukt.
Er wordt gemeld dat de SSD 990 nog steeds een solid-state drive is zonder een onafhankelijke DRAM-cache en is uitgerust met de zelf ontwikkelde hoofdbesturingschip van Samsung. Officiële gegevens wijzen erop dat de schrijfduur van de SSD 990 lager is dan die van de 990 PRO die DRAM-cache en 3D TLC-flashgeheugen gebruikt, wat ook het oordeel versterkt dat de kans groter is dat QLC-flashgeheugen wordt gebruikt. In termen van specifiek uithoudingsvermogen heeft de 1 TB-versie een nominale schrijfduur van 400 TBW, terwijl de 2 TB-versie een nominale schrijfduur heeft van 800 TBW.
In termen van prestatie-indicatoren heeft de sequentiële lees- en schrijfsnelheid van SSD 990 het high-end bereik van de PCIe Gen 4-fase bereikt. Het 2 TB-model heeft maximale sequentiële leessnelheden tot 7250 MB/s, het 1 TB-model heeft maximale sequentiële schrijfsnelheden tot 7150 MB/s, en beide capaciteitsversies hebben sequentiële schrijfsnelheden tot 6450 MB/s. Relevante specificaties verschenen voor het eerst kort op de officiële website van Samsung Canada en werden vervolgens verwijderd, maar zijn opgeslagen en zichtbaar gemaakt door VideoCardz-screenshots.