Als gevolg van Amerikaanse exportcontroles wordt de Chinese geheugenchipgigant Changxin Memory (CXMT) met veel obstakels geconfronteerd bij het verwerven van de geavanceerde apparatuur die nodig is om geheugen met hoge bandbreedte (HBM) te produceren, waardoor het moeilijk wordt om rechtstreeks te concurreren met internationale giganten op de reguliere AI-geheugenmarkt. De nieuwste trends in de sector laten echter zien dat Changxin Memory een nieuwe manier probeert te vinden om een doorbraak te bereiken door zich te wenden tot "aangepaste DRAM".
Het rapport wijst erop dat, nu de ontwikkelingsfocus van kunstmatige-intelligentiehardware zich geleidelijk heeft uitgebreid van uitsluitend vertrouwen op GPU-rekenkracht naar het verbeteren van snelle geheugenprestaties, Changxin Memory zijn strategische focus heeft verlegd naar 3D-geïntegreerde schakelingen (3D IC) en 3D DRAM-technologie. Verwacht wordt dat dit nieuwe architectuurontwerp het prestatieknelpunt van datatransmissie effectief zal oplossen zonder afhankelijk te zijn van traditionele HBM-apparatuur.
Het is duidelijk dat veel fabelachtige chipontwerpbedrijven samenwerkingsintenties hebben geuit met Koreaanse halfgeleidergiganten zoals Samsung Electronics op het gebied van dit soort nieuwe, op maat gemaakte ontwerpen. Zowel Samsung als SK Hynix hanteren momenteel echter een uiterst voorzichtige aanpak. Voor deze twee Koreaanse reuzen is grootschalige massaproductie en verzending van standaard DRAM-modules momenteel hun belangrijkste bron van winst. Het blindelings betreden van de sterk op maat gemaakte en relatief nichemarkt voor 3D DRAM's druist niet alleen in tegen het bestaande volwassen bedrijfsmodel, maar brengt ook enorme R&D- en marktrisico's met zich mee. Hoewel het Koreaanse duo ook baanbrekend technologisch onderzoek doet naar 3D DRAM en 3D IC, zijn er geen plannen om op korte termijn grootschalige commercialisering te bevorderen.
De hedgingstrategie van de Koreaanse gigant heeft een zeldzame markttoegang gecreëerd voor Chinese chipfabrikanten zoals Changxin Memory. Het wedden op aangepaste DRAM kent echter ook aanzienlijke uitdagingen en onzekerheden. Hoewel Chinese halfgeleiderfabrikanten met succes een aantal 3D DRAM-monsterchips hebben ontwikkeld en verbinding zijn gaan maken met klantprojecten, is het nog steeds onduidelijk of deze architectuur prestaties kan leveren die gelijk zijn aan of zelfs beter dan HBM in daadwerkelijke AI-inferentiescenario's.
Bovendien zijn kostenbeheersing en de opbrengst van massaproductie ook enorme problemen waarmee Changxin Storage wordt geconfronteerd. Nadat de eerste batch producten de massaproductiefase is ingegaan, kan een grote hoeveelheid vallen en opstaan en R&D-investeringen in de vroege fase de kosten opdrijven, en het moet nog worden geverifieerd of de uiteindelijke marktomvang het commercialiseringsrendement kan ondersteunen. Voor Chinese fabrikanten die geen toegang hebben tot belangrijke HBM-apparatuur is het actief verkennen van nieuwe 3D-geheugensporen echter ongetwijfeld een proactieve zet om de bestaande technologische blokkade en marktimpasse te doorbreken.