Intel heeft aangekondigd dat het Z-Angle Memory (ZAM) opslagproject van de volgende generatie, gezamenlijk gepromoot door SAIMEMORY, een dochteronderneming van SoftBank, officiële selectie en financiële steun heeft gekregen van de Japanse New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO), en het onderzoeks- en ontwikkelingsproces zal versnellen door middel van overheidssubsidies.

ZAM wordt gezien als een potentieel alternatief voor geheugen met hoge bandbreedte (HBM), met als doel een hogere bandbreedte, grotere capaciteit en een aanzienlijk lager energieverbruik te bereiken, terwijl het opslagtekort in AI en high-performance computing (HPC) wordt aangepakt.

Volgens de laatste informatie vrijgegeven door Intel K.K. en SAIMEMORY is het ZAM-project opgenomen in het financieringsplan van NEDO. De projectcyclus zal ongeveer 3,5 jaar duren en zal worden ontwikkeld rond de volgende generatie gestapelde DRAM-architectuur voor het AI-tijdperk. Deze architectuur heet Z-Angle Memory en heeft tot doel een nieuwe geheugenvorm te bieden voor datacenters en AI-versnellingsscenario's in de context van steeds strengere energieverbruik- en thermische ontwerpbeperkingen. De financiële steun van NEDO zal het project helpen zijn tempo op het gebied van technisch onderzoek, productieverificatie en constructie van de toeleveringsketen te versnellen, om sneller naar grootschalige commercialisering te evolueren.

Intel zei dat het bedrijf al vele jaren ZAM-gerelateerde fundamentele wetenschappelijke en technische paden valideert, inclusief samenwerkingsexperimenten in de nationale laboratoria van het Amerikaanse ministerie van Energie en technologieverkenning in het ‘Next Generation DRAM Bonding Initiative’. Makoto Ohno, president van Intel Japan, wees erop dat het ontvangen van NEDO-financiering deze keer zal helpen deze vroege accumulaties in een sneller mondiaal implementatieproces te duwen, terwijl het vitale technologiepartnerschap tussen de VS en Japan de komende jaren verder zal worden verstevigd.

Op het technologische pad zijn de kernindicatoren die door ZAM (Z-Angle Memory) worden vergrendeld: het verminderen van het energieverbruik met ongeveer 40%-50% in vergelijking met bestaande oplossingen, een eenvoudiger en productievriendelijker stapelontwerp en een ultrahoge capaciteitsdichtheid van maximaal 512 GB voor een enkele chip. In termen van specifieke implementatie gebruikt ZAM meerdere lagen dicht op elkaar gestapelde DRAM-chips. Elke laag is verbonden via een zogenaamde Z-Angle-verbindingsstructuur en is verbonden met de hoofdcomputerchip via een EMIB (embedded multi-chip interconnect bridge) onder de basischip om de bandbreedte te vergroten en het stroomverbruik en de verpakkingscomplexiteit te comprimeren.

Volgens het nieuwe ontwikkelingsplan zal ZAM niet alleen worden ontwikkeld door Intel en SAIMEMORY, maar zal ZAM ook op grote schaal technologie-, productie- en supply chain-partners introduceren in Japan en internationaal om gezamenlijk de vooruitgang op het gebied van ontwerp, massaproductie en ecologische constructie te ondersteunen. Het doel van het project is om een ​​meer schaalbare en energiezuinige opslagoplossing te bieden voor toekomstige generaties platforms en tegelijkertijd de steeds prominentere geheugenbandbreedte en capaciteitsknelpunten in de huidige AI- en HPC-markten op te lossen.

Het is vermeldenswaard dat de lancering van ZAM ook betekent dat Intel na decennia officieel terugkeert naar de geheugenmarkt met zijn eigen producten. In de vroege stadia van de ontwikkeling van het bedrijf was Intel een belangrijke deelnemer in de mondiale geheugenindustrie, maar werd uiteindelijk uit zijn dominante positie verdreven door Japanse fabrikanten in de concurrentie. Tegenwoordig is het de deelname en steun van Japanse bedrijven en instellingen die Intel helpen deze nieuwe generatie geheugentechnologie werkelijkheid te laten worden, wat vrij historisch is.