Samsung Electronics zal zijn eerste High-NA0.55 EUV-lithografietool introduceren, waarmee een grote sprong wordt gemaakt in de productietechnologie van halfgeleiders. Het bedrijf is van plan om het ASMLTwinscanEXE:5000-systeem tussen het vierde kwartaal van 2024 en het eerste kwartaal van 2025 op de Hwaseong-campus te installeren, wat een belangrijke stap markeert in de ontwikkeling van de volgende generatie procestechnologie voor logica- en DRAM-productie.
Door deze stap loopt Samsung een jaar achter op Intel bij het adopteren van High-NAEUV-technologie, maar vóór op rivalen TSMC en SK Hynix. Het systeem zal naar verwachting medio 2025 operationeel zijn en zal voornamelijk worden gebruikt voor onderzoeks- en ontwikkelingsdoeleinden.
Samsung richt zich niet alleen op de lithografieapparatuur zelf, maar bouwt ook een uitgebreid ecosysteem rond High-NAEUV-technologie. Het bedrijf werkt samen met verschillende belangrijke partners, zoals Lasertec (ontwikkeling van inspectieapparatuur voor High-NA-dradenkruisen), JSR (ontwikkeling van geavanceerde fotoresists), Tokyo Electron (verbetering van etsers) en Synopsys (overschakeling op gebogen patronen op dradenkruisen om de circuitnauwkeurigheid te verbeteren). Hoge NAEUV-technologie zal naar verwachting aanzienlijke vooruitgang boeken bij de productie van chips.
Vergeleken met de huidige ultraviolette systemen met een laag nanosecondeniveau heeft de High-NA ultraviolette technologie op het tweede niveau een resolutievermogen van 8 nanometer, wat de grootte van transistors met ongeveer 1,7 keer kan verkleinen en de transistordichtheid met bijna drie keer kan vergroten. De transitie naar een hoge NAEUV kent echter ook uitdagingen. Deze tools zijn duurder, kosten tot $380 miljoen per stuk, en hebben kleinere beeldgebieden. Het grotere formaat vereist ook dat chipmakers de fabuleuze lay-out heroverwegen.
Ondanks deze obstakels streeft Samsung ernaar om tegen 2027 commerciële toepassing van High-NA ultrahoogvacuümtechnologie te realiseren.