Vandaag heeft Intel een document uitgegeven waarin een aantal technologische doorbraken worden geïntroduceerd die zijn gedemonstreerd op IEDM2024 (2024 IEEE International Electronic Devices Conference).Wat nieuwe materialen betreft, kan de subtractieve ruthenium-interconnectietechnologie de capaciteit tussen de lijnen met wel 25% verminderen, waardoor de onderlinge verbinding tussen de chips wordt verbeterd.
Intel Foundry is ook de eerste die een heterogene integratieoplossing voor geavanceerde verpakkingen demonstreert die de doorvoer tot wel 100 keer kan verhogen en een ultrasnelle chip-tot-chip-assemblage mogelijk maakt.
Daarnaast demonstreerde Intel Foundry ook de op silicium gebaseerde Ribbion FETCMOS-technologie (complementary metal oxide semiconductor) en gateoxide-modules voor het verkleinen van 2D-veldeffecttransistors (2DFET's) om de prestaties van apparaten te verbeteren.
Op het gebied van de 300 mm GaN-technologie (galliumnitride) is Intel Foundry ook doorgegaan met het bevorderen van onderzoek en het vervaardigen van de toonaangevende, hoogwaardige miniatuurverbeteringsmodus GaNMOSHEMT (metal oxide semiconductor high elektronenmobiliteitstransistor).
Het kan betere prestaties leveren aan toepassingen zoals stroomapparaten en radiofrequentieapparaten door signaalverlies te verminderen, de signaallineariteit te verbeteren en geavanceerde integratieoplossingen op basis van substraat-terugverwerking.
Intel Foundry is ook van mening dat de volgende drie belangrijke innovatiefocussen ervoor zullen zorgen dat AI zich de komende tien jaar in een energie-efficiëntere richting zal ontwikkelen:
Geavanceerde geheugenintegratie om knelpunten in capaciteit, bandbreedte en latentie te elimineren;
Hybride bonding om de interconnectbandbreedte te optimaliseren;
Modulaire systemen en bijbehorende aansluitoplossingen