SanDisk heeft vandaag officieel aangekondigd dat het is begonnen met het leveren van testmonsters van zijn 10e generatie 3D NAND-flashgeheugentechnologieproduct - BiCS10 1Tb (Terabit, 128GB) TLC-flashgeheugenchip aan klanten. Deze nieuwe chip heeft een kwalitatieve sprong voorwaarts gemaakt in opslagdichtheid, transmissiesnelheid en efficiëntie van energieverbruik, met als doel volledig tegemoet te komen aan de dringende behoeften van moderne computers voor grootschalige, hoogefficiënte opslag.
Volgens de technische details die officieel zijn bekendgemaakt door SanDisk, heeft de BiCS10-chip met succes een toonaangevende TLC-opslagdichtheid van meer dan 29 Gb/mm² bereikt door het aantal stapellagen voor flash-geheugen aanzienlijk te vergroten tot 332 lagen en dit te combineren met geavanceerde laterale schalingstechnologie. Vergeleken met het 8e generatie (BiCS8) 3D-flashgeheugen dat momenteel in massaproductie is als belangrijkste kracht op de markt, is de bitdichtheid van de nieuwe BiCS10 met 59% verhoogd. In termen van prestaties is de interface-transmissiesnelheid van BiCS10 dankzij de uitgebreide introductie van Toggle DDR 6.0-interfacebus, SCA-protocol en PI-LTT-technologie gestegen tot een verbazingwekkende 4,8 Gb/s, wat een prestatiesprong van 33% oplevert in vergelijking met de vorige generatie.
Naast de dubbele doorbraken op het gebied van prestaties en dichtheid, zijn de prestaties van BiCS10 op het gebied van energie-efficiëntie ook uitstekend. De chip blijft gebruik maken van SanDisk’s beproefde CBA-architectuurtechnologie (CMOS direct bonded to Array, CMOS direct bonded to wafer array). Dit baanbrekende proces maximaliseert de elektrische prestaties door logische CMOS-circuits en flash-geheugenarrays op afzonderlijke wafers te vervaardigen en deze vervolgens aan elkaar te verbinden met behulp van zeer nauwkeurige wafer-uitlijningstechnologie. Met de ondersteuning van deze technologie is de energie-efficiëntie van de gegevensinvoer en -uitvoer van de BiCS10 TLC-chip aanzienlijk geoptimaliseerd. Vergeleken met de BiCS8-generatie is het ingangsstroomverbruik met 10% verminderd en het uitgangsstroomverbruik aanzienlijk gedaald met 34%. Dit is van cruciaal belang voor moderne datacenters en infrastructuur op ondernemingsniveau die graag de bedrijfskosten en de druk op de warmteafvoer willen verlagen.
Alper Ilkbahar, Chief Technology Officer van SanDisk, vertelde de media op de persconferentie dat nu de wereld van vandaag steeds meer verbonden, zeer data-intensief en steeds intelligenter wordt, NAND-flashgeheugentechnologie een steeds crucialere hoeksteenrol speelt bij het ondersteunen van de schaal van moderne computerkracht. Hij benadrukte dat de eerdere BiCS8 een nieuwe maatstaf voor de industrie heeft gezet door de mogelijkheden voor waferbinding te combineren met daadwerkelijke winst op het gebied van dichtheid en energie-efficiëntie; en de huidige BiCS10 TLC bouwt voort op deze solide basis om klanten snellere interfacesnelheden, een hogere bitdichtheid en een beter stroomverbruik te bieden, wat duidelijk de innovatieve kracht van SanDisk op de lange termijn technologieroadmap voor 3D-flashgeheugen aantoont.