In een tijd waarin de mondiale geheugenprijzen blijven stijgen,Het nieuws over een lage-prijsstrategie van de Chinese DRAM-gigant Changxin Memory heeft de toch al onrustige geheugenmarkt in een felle strijd tussen long en short gestort.Volgens rapporten isChangxin Memory lanceerde een "breaking price" van US $ 138 voor 32GB DDR4-3200 ECC-geheugenmodules. Deze prijs bedraagt ​​slechts ongeveer een derde van de huidige internationale marktprijs van 300 tot 400 dollar, wat onmiddellijk een schok op de wereldmarkt veroorzaakte.

Deze lage prijsbeweging veroorzaakte direct paniek op de markt, en beleggers waren bang dat de geheugenindustrie opnieuw in de rode oceaanconcurrentie zou vervallen. De geheugensector, die zich tijdens de vroege handel op de 3e had hersteld, kwam onmiddellijk onder druk te staan.

Onder hen kregen het DRAM-duo Winbond en Nanya de dupe, met een daling van respectievelijk 9,05% en 5,61% die dag. Bovendien daalden aandelen als Phison, Pingan, Jinghaoke, Supreme, ADATA, Apacer en Huadong allemaal met meer dan de helft van de limiet, waardoor een sterke sfeer van paniek in de sector ontstond.

Achter deze marktschommelingen schuilen structurele veranderingen op de mondiale geheugenmarkt. Met de explosieve groei van de vraag naar AI-computers is de mondiale geheugenmarkt een nieuwe supercyclus ingegaan. De prijzen van aanverwante producten zijn eind 2025 sterk gestegen, waardoor in 2026 zelfs de productie-indeling van veel elektronische producten is verstoord.

Tegen deze achtergrond versnellen grote Chinese opslagbedrijven zoals Changxin Storage en Yangtze River Storage hun aanleg en grijpen ze marktkansen aan.

Changxin Storage, dat bijzonder agressief is geweest in het uitbreiden van de productie, heeft besloten de uitbreiding van zijn fabriek in Shanghai te versnellen. Volgens het plan zal de omvang van de fabriek twee tot drie keer zo groot zijn als die van het hoofdkantoor in Hefei, en zal deze zich vooral richten op de productie van DRAM-producten die nodig zijn voor servers, personal computers en auto-elektronica.

Volgens het tijdschema zal de installatie van de apparatuur in de fabriek in Shanghai naar verwachting in de tweede helft van 2026 beginnen en officieel de productiefase ingaan in 2027. Nadat de productie in productie is genomen, zal dit de leveringscapaciteit van Changxin Memory op de mondiale DRAM-markt aanzienlijk vergroten.

De Chinese NAND Flash-gigant Yangtze Memory doet tegelijkertijd ook inspanningen. Het Fase III-project in Wuhan, dat oorspronkelijk gepland was om zijn massaproductiedoelstelling in 2027 te bereiken, zal naar verwachting in de tweede helft van 2026 van start gaan. Wat nog opmerkelijker is, is dat Yangtze Memory van plan is zijn ontwikkelingsstrategie aan te passen en ongeveer 50% van de productiecapaciteit van de nieuwe fabriek te verschuiven naar de productie van DRAM-producten, waarmee officieel een nieuw model van parallelle ontwikkeling op de dubbele velden van NAND en DRAM wordt geopend en de productmatrix van de Chinese opslagindustrie verder wordt verbeterd.

Met betrekking tot de opkomst van Chinese opslagfabrikanten en veranderingen in de marktstructuur analyseerde Gary Huang, hoofd Azië bij Yole Group, dat het huidige mondiale geheugenaanbod krap blijft en dat dit marktklimaat gunstige ontwikkelingsmogelijkheden voor opkomende spelers heeft gecreëerd.

Gecombineerd met de Chinese beleidssteun zorgt dit ervoor dat steeds meer klanten actief op zoek gaan naar alternatieve bevoorradingsbronnen. Dit brengt niet alleen een nieuw groeimomentum voor Chinese fabrikanten zoals Changxin Memory en Yangtze Memory, maar zal ook een diepgaande invloed hebben op het concurrentielandschap van de mondiale geheugenmarkt.