Op de 69e IEEE International Electronic Devices Conference (IEDM) bracht Xin, de directeur van de grootste binnenlandse opslagfabriek, een artikel waarin hij zei dat hij een doorbraak in de technologie had gemaakt en overweg kon met 3 nm-technologiechips. Afgaande op het door Changxin gepubliceerde artikel toont dit de doorbraak aan in de Gate-All-Around (GAA)-technologie, die kan worden gebruikt op 3nm-proceschips, en uiteraard ook overweg kan met 5nm, 7nm, 10nm en 14nm.
Vanwege de procescontrole van apparatuur is Changxin nog niet in staat om te produceren en te produceren, maar dit artikel heeft aangetoond dat ze over deze technische kracht beschikken, en dit is een microkosmos van de onafhankelijke doorbraak van binnenlandse chips.
Voorafgaand hieraan lanceerde Changxin Memory officieel een reeks LPDDR5-producten, waaronder 12Gb LPDDR5-deeltjes, POP-verpakte 12GBLPDDR5-chips en DSC-verpakte 6GBLPDDR5-chips.
Changxin Storage is ook het eerste binnenlandse merk dat zelfontwikkelde en geproduceerde LPDDR5-producten lanceert, waarmee een nuldoorbraak op de binnenlandse markt wordt bereikt.
De LPDDR5-chip is de vijfde generatie dynamisch willekeurig toegankelijk geheugen met ultralaag vermogen en dubbele snelheid. Vergeleken met de vorige generatie LPDDR4X zijn de capaciteit en snelheid van een enkel deeltje van Changxin Storage LPDDR5 met 50% verhoogd, waardoor respectievelijk 12Gb en 6400Mbps worden bereikt, terwijl het stroomverbruik met 30% is verminderd.