Veel mensen denken dat het installeren van Exynos 2200 in de Galaxy S23FE een slechte beslissing van Samsung is, maar een reeks tests toont aan dat deze kosteneffectieve sub-vlaggenschiptelefoon zijn CPU-prestaties zeer goed kan behouden. Het lijkt erop dat bepaalde optimalisaties en upgrades van koeloplossingen in het Exynos2200-productieproces verantwoordelijk kunnen zijn voor de dramatische verandering in de resultaten.
Bezoek de aankooppagina:
SAMSUNG-Samsung Flagship Store
Galaxy S23FE, aangedreven door Exynos2200, heeft onlangs CPU-beperking en stresstests ondergaan/Afbeeldingsbron - RONTEK
Hoewel we de interne onderdelen van de Galaxy S23FE niet hebben gezien, kan de toevoeging van een dampkamer helpen bij de prestatiestabiliteit van de Exynos 2200. Het is ook mogelijk dat Samsung een verbeterd productieproces zal gebruiken om de Exynos 2200 in massa te produceren.
RONTEK heeft de Galaxy S23FE aan een reeks benchmarks en stabiliteitstests onderworpen, maar we hebben ons op dat laatste geconcentreerd omdat we een opvolger wilden zien die gebruik maakte van een chip van de vorige generatie, die bekritiseerd werd omdat hij moeite had de hitte onder controle te houden. Toen de 3DMarkWildLifeExtreme stresstest werd afgerond, waren we echt verrast dat de Galaxy S23FE meer dan 75% van de werkelijke prestaties kon behouden.
Zelfs bij de CPU-throttling-test werden de prestaties van de Exynos 2200 slechts teruggebracht tot 74% van zijn maximale capaciteit. Hier is een interessant stukje; de Exynos 2200 presteerde eigenlijk beter dan de Pixel 8 en Pixel 8 Pro met TensorG3, die werd getest in de reguliere versie van 3DMark's WildLife-test, in plaats van in de "Extreme" modus. In eerdere demontagevideo's hebben we gemerkt dat Google dit jaar geen dampkamers gebruikt in zijn vlaggenschipproducten.
Ervan uitgaande dat zowel Exynos2200 als TensorG3 in massa worden geproduceerd met behulp van Samsung’s 4nm LPP-proces (Low Power Plus), kan het toevoegen van een dampkamer aan de Galaxy S23FE enorme veranderingen teweegbrengen.