Op de komende IEEE Solid-State Circuits Conference (SSCC) in februari 2024 is Samsung niet de enige Koreaanse geheugengigant die zijn nieuwste technologie presenteert. SK Hynix zal ook meedoen om concurrerende technologieën voor zijn vluchtige en niet-vluchtige geheugenproductlijnen te demonstreren.
Allereerst zal SK Hynix na Samsung het tweede bedrijf zijn dat GDDR7-geheugenchips op de markt brengt. De SKHynix-chip heeft een snelheid van 35,4Gbps, wat lager is dan de 37Gbps die Samsung laat zien, maar de dichtheid bedraagt nog steeds 16Gbit. Dankzij deze dichtheid kan 16 GB videogeheugen worden geïmplementeerd op een 256-bits geheugenbus. Niet alle GPU's van de volgende generatie kunnen de topsnelheid van 37 Gbps bereiken, en sommige werken mogelijk op lagere geheugensnelheden, en SK Hynix heeft geschikte opties in zijn productlijn.
Net als Samsung maakt SKHynix gebruik van PAM3 I/O-signalering en een eigen architectuur met laag vermogen (hoewel het bedrijf niet uitweidde over de vraag of deze vergelijkbaar is met de vier lage-snelheidskloktoestanden van de Samsung-chip).
GDDR7 zal ongetwijfeld de volgende generatie grafische kaarten domineren op het gebied van gaming en professionele visuele velden; de markt voor AI-HPC-processors zal echter nog steeds voornamelijk afhankelijk zijn van HBM3E. SKHynix heeft op dit gebied geïnnoveerd en zal een nieuw 16-laags 48GB (384Gbit) HBM3E-stackontwerp demonstreren, met een enkele stacksnelheid tot 1280GB/s. Een processor met vier van dergelijke stapels heeft 192 GB geheugen en een bandbreedte van 5,12 TB/s. De stapel maakt gebruik van een TSV-ontwerp (Through Silicon Via) op vol vermogen en een 6-fasen RDQS-schema (Read Data Queue Strobe) om het TSV-gebied te optimaliseren.
Tenslotte zal SKHynix op de conferentie voor het eerst ook zijn LPDDR5T (LPDDR5Turbo) geheugenstandaard voor smartphones, tablets en dunne en lichte laptops demonstreren. Dankzij de eigen technologie voor parasitaire capaciteitsreductie en spanningsoffset-kalibratie-ontvangertechnologie kan de chip een gegevensoverdrachtsnelheid van 10,5 Gb/s per pin en een DRAM-spanning van 1,05 V bereiken.