Om de Amerikaanse sancties tegen Chinese chipfabrikanten te omzeilen, hebben China’s toonaangevende DRAM- en NAND-flashgeheugenleveranciers Changxin Memory (CXMT) en Yangtze Memory Storage (YMTC) elk gewaagde stappen gezet en verschillende strategieën aangenomen om de ontwikkeling te versnellen te midden van Amerikaanse exportbeperkingen.
Bronnen bij DigiTimes geven aan dat Changxin Memory is begonnen met de massaproductie van 18,5 nm proces-DRAM-chips in zijn nieuwe fabriek in Hefei. Door de Amerikaanse limiet van 18 nanometer iets te overschrijden, wil het de productiecapaciteit vergroten en tegelijkertijd technisch voldoen aan de voorschriften van het Amerikaanse ministerie van Handel.
De eerste fase van de Hefei-fabriek draait op bijna volledige capaciteit, met een maandelijkse productie van 100.00 wafels. De komende tweede fase van de uitbreiding zal tegen eind 2024 40.000 wafers per maand toevoegen, wat de totale DRAM-productiecapaciteit van CX Memory op 10% van de mondiale schaal zal brengen. Daarnaast is Changxin ook van plan de binnenlandse inkoop aanzienlijk te verhogen voor nieuwe productie-uitbreiding.
Yangtze Memory Storage wordt daarentegen geconfronteerd met uitgebreide beperkingen op de capaciteitsgroei nadat het is toegevoegd aan de Amerikaanse entiteitenlijst. Nu de import van kritieke apparatuur is stopgezet, is het opzetten van lokale toeleveringsketens voor materialen en gereedschappen een uitdaging gebleken. Ondanks vooruitgang in onderzoek en ontwikkeling, waaronder NAND-flash met meer dan 300 lagen, heeft Yangtze Memory een nieuw product gelanceerd met 120 lagen, opzettelijk lager dan de limiet van 128 lagen in de Verenigde Staten. Maar zelfs deze chips die aan de normen voldoen, moeten wachten op goedkeuring door de VS voordat ze op grotere schaal kunnen worden geproduceerd.
Terwijl Changxin een haalbaar pad heeft uitgestippeld om de Amerikaanse beperkingen te omzeilen, worden de capaciteitsplannen van Yangtze Storage geconfronteerd met voortdurende obstakels. Niettemin wil Yangtze Memory, door middel van vastberaden R&D-inspanningen, waaronder 232-laags en toekomstige 300-plus-laags NAND, externe tegenwind overwinnen en de halfgeleidercapaciteiten van China vooruit helpen.